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刻蚀_百度文库

  刻蚀_能源/化工_工程科技_专业资料。有图形刻蚀: 掩模层定义刻蚀区域(栅,金属互连线,通孔,接触孔,沟槽等) 无图形刻蚀: 无掩模(反刻或剥离) 刻蚀参数 ?刻蚀速率 min)/(/nmtTR? ? ? R 刻蚀剂的浓度 负载效应: 要

  有图形刻蚀: 掩模层定义刻蚀区域(栅,金属互连线,通孔,接触孔,沟槽等) 无图形刻蚀: 无掩模(反刻或剥离) 刻蚀参数 ?刻蚀速率 min)/(/nmtTR? ? ? R 刻蚀剂的浓度 负载效应: 要刻蚀大面积区域,会耗尽刻蚀剂浓度,而使 R 下降;若面积小,则刻蚀会快 一些。 ?刻蚀剖面 各项异性:小线宽 图形亚微米器件,现今集成电路要求 88° - 89°, 高深宽比图形窗口:化学刻蚀剂难以进入,反应生成物难以出来 解决办法: 将等离子 体定向推进到高深宽比窗口,离子方向性垂直于表面;高密度等离子体 ?刻蚀偏差 刻蚀后线宽或关键尺寸间距发生变化,通常由横向刻蚀引起,但也能由刻蚀剖面引起。 ?选择比 被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率之比 关键尺寸越小,选择比高求越高。 选择比差:1? 1 选择比好:100 - 1000 ?均匀性 因为刻蚀速率和刻蚀剖面与图形尺寸和密度有关而产生深宽比相关的刻蚀或微负载 效应 ?残留物 产生原因: 被刻蚀膜层中的污染物 选择比不合适的化学刻蚀 胶体中的污染物 膜层中不均匀的杂质分布 方法: 刻蚀完成后进行过刻蚀; 有时采用湿法化学腐蚀去掉 ?聚合物 ? 有时有意形成,目的是在侧壁上形成抗腐蚀膜,从而防治横向刻蚀,形成高的各项异性刻 蚀。 ? 光刻胶中的 C 转化而来,并与刻蚀气体和刻蚀产物结合在一起。 ? 在硅刻蚀中,通过控制 F/C 的比例,形成聚合物,低 F/C 比易于形成侧壁聚合物(侧壁钝 化) ?等离子体诱导损伤 等离子体包含大量的离子,电子和激发原子/分子 ? 主要损伤: - 非均匀等离子体在晶体管栅电极产生陷阱电荷,引起薄栅氧化硅的击穿; - 能量离子对暴露的栅氧化层的轰击(典型离子流 1015/cm2,能量 300-700 eV ?颗粒、沾污和缺陷

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